我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。據(jù)一家國際1流的計算機(jī)制造商反映，從印刷電路板裝配線上剔除的所有BGA器件中的50%以上，采用電子測試方式對其進(jìn)行測試是失敗的，它們實(shí)際上并不存在缺陷，因而也就不應(yīng)該被剔除掉。

普通返修

普通SMD返修系統(tǒng)的原理：采用熱氣流聚集到表面組裝器件（SMD）的引腳和焊盤上，使焊點(diǎn)融化或使焊膏回流，以完成拆卸和焊接功能。BGA的全稱BallGridArray（焊球陣列封裝），它是在封裝體基板的底部制作陣列焊球作為電路的I/O端與印刷線路板（PCB）互接。不同廠家返修系統(tǒng)的相異之處主要在于加熱源不同，或熱氣流方式不同，有的噴嘴使熱風(fēng)在SMD的上方。從保護(hù)器件的角度考慮，應(yīng)選擇氣流在PCB四周流動比較好，為防止PCB翹曲還要選擇具有對PCB進(jìn)行預(yù)熱功能的返修系統(tǒng)。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。印刷焊膏因?yàn)楸砻娼M裝板上已經(jīng)裝有其他元器件，因此必須采用BGA專用小模板，模板厚度與開口尺寸要根據(jù)球徑和球距確定，印刷完畢后必須檢查印刷質(zhì)量，如不合格，必須將PCB清洗干凈并涼干后重新印刷。

BGA返修

使用HT996進(jìn)行BGA的返修步驟：

1：拆卸BGA把用烙鐵將PCB焊盤殘留的焊錫清理干凈、平整，可采用拆焊編織帶和扁鏟形烙鐵頭進(jìn)行清理，操作時注意不要損壞焊盤和阻焊膜。用專用清洗劑將助焊劑殘留物清洗干凈。

2：去潮處理由于PBGA對潮氣敏感，因此在組裝之前要檢查器件是否受潮，對受精密維修系統(tǒng)潮的器件進(jìn)行去潮處理。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。

BGA技術(shù)的研究始于60年代，早被美國IBM公司采用，但一直到90年代初，BGA 才真正進(jìn)入實(shí)用化的階段。

在80年代，人們對電子電路小型化和I/O引線數(shù)提出了更高的要求。A用萬用表的歐姆擋測“1”、“2”兩端，其讀數(shù)應(yīng)為電位器的標(biāo)稱阻值，如萬用表的指針不動或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。雖然SMT使電路組裝具有輕、薄、短、小的特點(diǎn)，對于具有高引線數(shù)的精細(xì)間距器件的引線間距以及引線共平面度也提出了更為嚴(yán)格的要求，但是由于受到加工精度、可生產(chǎn)性、成本和組裝工藝的制約，一般認(rèn)為QFP(Quad Flat Pack 方型扁平封裝)器件間距的極限為0.3mm，這就大大限制了高密度組裝的發(fā) 展。另外，由于精細(xì)間距QFP器件對組裝工藝要求嚴(yán)格，使其應(yīng)用受到了限制，為此美國一些公 司就把注意力放在開發(fā)和應(yīng)用比QFP器件更優(yōu)越的BGA器件上。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。應(yīng)注意的是：在測試操作時，特別是在測較小容量的電容時，要反復(fù)調(diào)換被測電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬用表指針的擺動。

JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會)(JC-11)的工業(yè)部門制定了BGA封裝的物理標(biāo)準(zhǔn)，BGA與QFD相比的z大優(yōu)點(diǎn)是I/O引線間距大，已注冊的引線間距有1.0、1.27和1.5mm，而且目前正在推薦由1.27mm 和1.5mm間距的BGA取代0.4mm-0.5mm的精細(xì)間距器件。二是低阻值電阻損壞時往往是燒焦發(fā)黑，很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻值電阻損壞時很少有痕跡。