電池片的檢驗(yàn)

電池片的檢驗(yàn)

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級(jí)：主柵線容許有輕度斷開(kāi)、缺少、歪曲、突顯，斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱(chēng)，不容許有斷開(kāi)，缺少、歪曲及其突顯。 

B級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱(chēng)，容許有斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級(jí)：斷開(kāi)和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開(kāi)，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級(jí)：副柵線容許大小不勻稱(chēng)，存有總寬超過(guò)0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開(kāi)，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點(diǎn)；不容許有掉色狀況。 

B級(jí)：容許大小不勻稱(chēng)，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開(kāi)間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級(jí)占地面積的10%. 

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場(chǎng)：

A 級(jí)：

背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

電池片的制作工藝

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫(xiě)成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類(lèi)：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

擴(kuò)散制結(jié)： 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的 PN 結(jié)以實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)化， 而擴(kuò)散爐就是制造太陽(yáng)能電池P-N 結(jié)的專(zhuān)用設(shè)備。擴(kuò)散用三氯氧磷為擴(kuò)散源。在 830 度的高溫下用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷離子，通過(guò)硅原子質(zhì)檢的空隙向硅片內(nèi)擴(kuò)散，形成 P-N 結(jié)。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片， 擴(kuò)散面需跟制絨面在同一面上，擴(kuò)散為單面擴(kuò)散，工藝流程為 83 分鐘。

濕法刻蝕： 利用 HNO3 和 HF 的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕 , 去除邊緣的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互絕緣。

需注意 : 刻蝕分為干濕兩法 ，目前采用濕法，刻蝕后需做親水性測(cè)試。

如何判斷親水性是否良好？

用純水滴在硅片上看硅片上的擴(kuò)散面積。機(jī)械臂流片需要返工因臭氧層丟失。

PEVCD:   鍍減反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片，流程為 50 分鐘， 在此階段會(huì)發(fā)生色斑，色差等問(wèn)題。

絲網(wǎng)印刷 ： 把帶有圖案的模版附著于絲網(wǎng)上進(jìn)行印刷   ， 通常絲網(wǎng)由尼龍、聚酯、絲綢或金屬網(wǎng)制作而成  ， 承印物直接放在帶有模版的絲網(wǎng)下面，漿料在刮刀的擠壓下穿過(guò)絲網(wǎng)間的網(wǎng)孔  ， 只有圖像部分能穿過(guò)，印刷到承印物上印刷流程為背電極——背電場(chǎng)——正電極。

需注意 ： 斷柵 問(wèn)題會(huì)出現(xiàn)在此工藝段。也是電池片的后一大工藝段。