四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無(wú)色、無(wú)臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.在900℃時(shí)，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時(shí)，會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。四氟化碳在900℃時(shí)，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時(shí)，會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。

四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過(guò)冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿(mǎn)地面空間范圍，在不通風(fēng)的地方會(huì)導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風(fēng)的庫(kù)房?jī)?nèi)，嚴(yán)禁曝曬，遠(yuǎn)離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。