磁珠的單位與封裝

磁珠的單位是歐姆，不是亨特，應(yīng)該特別注意。因為磁珠的單位是根據(jù)它在某一頻率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)定的，所以阻抗的單位也是歐姆。磁珠數(shù)據(jù)表通常會提供頻率和阻抗的特，通常以100兆赫茲為標(biāo)準(zhǔn)，例如100兆赫茲時為600歐姆，這意味著磁珠的阻抗在100兆赫茲頻率下相當(dāng)于600歐姆。

磁珠包裝通常包括貼片磁珠和插入式磁珠。

鐵氧體片式電感器和片式磁珠產(chǎn)品具有相同的封裝基板外形。它分為公制包裝和英制包裝。

包裝是規(guī)格和尺寸的代碼或縮寫。以下是國內(nèi)外主要感應(yīng)磁珠品牌的外形尺寸概述，僅供選購參考。

磁珠的選型

磁珠主要用于抑制電磁干擾差模噪聲。它們的DC阻抗很小，但在高頻時阻抗很高。一般來說，600R是指在100兆赫茲測試頻率下的阻抗值。選擇磁珠時應(yīng)考慮兩個方面:一是電路中的噪聲干擾，二是要通過的電流量。為了大致了解噪聲的頻率和強度，不同磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，應(yīng)選擇在噪聲中心頻率處具有較高磁珠阻抗的磁珠。如果噪聲干擾大，阻抗應(yīng)該更高，但不是越高，越好，因為阻抗越高，DCR越高，有用信號的衰減越大。但是，一般沒有明確的計算和選擇標(biāo)準(zhǔn)，主要取決于實際使用效果，一般采用120R-600R。然后它取決于通過的電流。如果用于電力線部分，應(yīng)選擇額定電流較高的型號。如果用于信號線部分，額定電流要求一般不高。此外，磁珠的額定電流通常較小，阻抗較高。磁珠的選擇應(yīng)基于實際情況。例如，對于3.3V和300毫安的電源，要求3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC電阻DCR應(yīng)該低于1R。在這種情況下，通常選擇0.5R來防止參數(shù)漂移。對于噪聲抑制能力，假設(shè)負(fù)載為45歐姆，如果要求100兆赫茲和300兆赫茲的噪聲通過磁珠后達(dá)到50兆赫茲，則應(yīng)選擇dcr1r和225R的磁珠。225 r是如何計算的？(45歐姆/50毫伏)* 250毫伏=225歐姆

磁珠與電感的對比

磁珠用于模擬和數(shù)字相結(jié)合的地方。數(shù)字和模擬地之間使用的磁珠有多大？磁珠的大小(具體來說，應(yīng)該是磁珠的特征曲線)取決于您需要磁珠吸收的干擾波頻率。為什么磁珠的單位和電阻是一樣的？磁珠對高頻有電阻，對直流有低電阻，對高頻有高電阻，因此很容易理解，例如，1000 R @ 100兆赫茲意味著對100兆頻率的信號有1000歐姆的電阻，因為磁珠的單位是根據(jù)它在某一頻率產(chǎn)生的阻抗而標(biāo)稱的，而阻抗的單位也是歐姆。磁珠數(shù)據(jù)表通常附有頻率和阻抗特性曲線。通常，標(biāo)準(zhǔn)是100兆赫茲，例如2012B601，這意味著磁珠在100兆赫茲時的阻抗是600歐姆。

在許多產(chǎn)品中，開關(guān)的兩個接地通過電容連接。為什么不用電感呢？如果使用磁珠或直接連接，人體靜電等意外水平很容易進(jìn)入開關(guān)接地，開關(guān)將無法正常工作。然而，如果它們斷開，當(dāng)它們被閃電或其他高電壓擊中時，兩個地方之間的電火花會引起火災(zāi)。增加電容可以避免這種情況。

磁珠的特性

(3)液晶共振效應(yīng)

在電源線上，電阻通常很小，電阻相對較大。舉一個極端的例子，RS=0，RL=無窮大。進(jìn)行簡單計算，如下圖所示。因此，這種振蕩的可能性相對較大。

對于液相色譜串聯(lián)電路，增益響應(yīng)曲線如下圖所示?？梢钥吹?，在3兆赫，有一個凸起，約為11dB。上述電路在時域中用L-真值進(jìn)行了。分別輸入10KHz和3.3MHz的正弦信號。模擬的L-真值結(jié)果如下圖所示。可以看出，當(dāng)正弦輸入為10KHz時，輸入和輸出信號基本相同，但當(dāng)輸入頻率增加到3.3MHz正弦輸入時(對應(yīng)于提高的頻率點)，輸出信號幅度約為輸入信號幅度的4倍。

因此，如果電路設(shè)計不合適，濾波電路將變成放大電路。

如何解決這種液晶振蕩？

這可以通過增加后續(xù)級的電容來實現(xiàn)[1]。

修改電路如下[4]: (4) DC電阻

在選擇磁珠時，我們應(yīng)該注意它們的DC電阻。如果供電設(shè)備(尤其是數(shù)字設(shè)備)偶爾會有大電流。例如，如果選擇DC電阻為0.7歐姆的磁珠，并且被供電設(shè)備所需的電壓為1.1V，芯片偶爾會消耗400毫安的電流，那么芯片通過磁珠后的電壓將下降到0.82伏，這可能導(dǎo)致芯片工作異常。此外，由于大電流是瞬態(tài)的，你很難觀察到這種現(xiàn)象。