氮化硅陶瓷材料具有熱穩(wěn)定性高

具備優(yōu)良的耐堿蝕性、抗熔融冰晶石潤滑性、耐磨性能、高傳熱性、耐熱震性和低的導(dǎo)電率 氮化硅結(jié)構(gòu)陶瓷具備熱穩(wěn)定性高。因為氮化硅是鍵強高的共價化合物，并在氣體里能產(chǎn)生金屬氧化物保護膜，因此還具備優(yōu)良的有機化學(xué)可靠性，1200℃下列不被氧化，1200~1600℃轉(zhuǎn)化成保護膜可避免進一步空氣氧化，而且不被鋁、鉛、錫、銀、紫銅、鎳等很多種多樣熔融金屬材料或鋁合金所侵潤或浸蝕，但能被鎂、鎳鉻、不銹鋼板等熔液所浸蝕。氮化硅磚就是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻 ( Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為關(guān)鍵礦物質(zhì)成分的耐火保溫材料產(chǎn)品。這種磚耐火性高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣侵蝕性強，熱穩(wěn)定性，對酸性渣也是有一定的適應(yīng)能力。按制備工藝方法來劃分可分為燒成磚、不燒磚、電熔磚（熔鑄磚）、耐火隔熱磚。氮化硅（Si3N4）存有有3種結(jié)晶體構(gòu)造，分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N4常出現(xiàn)的形式，且能夠 在過熱蒸汽下制取。γ相僅有在髙壓及高溫下，才可以生成獲得，它的強度可做到35GPa。

氮化硅陶瓷,是一種燒結(jié)時不收縮的無機材料陶瓷

氮化硅陶瓷，是一種燒結(jié)時不收縮的無機材料陶瓷。

廢舊氮化硅陶瓷就是經(jīng)過使用以后，損壞或者破損的氮化硅制品，

Si3N4 陶瓷是一種共價鍵化合物，基本結(jié)構(gòu)單元為[ SiN4 ]四面體，硅原子位于四面體的中間，在其周圍有四個氮原子，分別位于四面體的四個頂點，然后以每三個四面體共用一個原子的形式，在三維空間形成連續(xù)而又堅固的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

氮化硅結(jié)合碳化硅磚的結(jié)構(gòu)特征

氮化硅結(jié)合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據(jù)原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。該產(chǎn)品具有強度高、高溫耐磨性好、熱傳導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)小、熱震穩(wěn)定性好等優(yōu)點。 其結(jié)構(gòu)特征是：SiC大顆粒為基質(zhì)所包圍，基質(zhì)部分由粒狀SiC和原位生成的纖維狀Si3N4所組成，Si3N4纖維交織成三維空間網(wǎng)絡(luò)，將SiC小顆粒包圍起來，并與SiC大顆粒形成牢固的機械結(jié)合。根據(jù)要求配以各種結(jié)合劑,經(jīng)高壓成型，制品具有良好的熱穩(wěn)定性和較高的導(dǎo)熱系數(shù),且耐腐蝕性好,是工業(yè)窯爐理想的節(jié)能材料，該產(chǎn)品具有高溫耐磨性好、膨脹系數(shù)小、熱震穩(wěn)定性好等特點。Si3N4陶瓷材料作為一種優(yōu)異的高溫工程材料，能發(fā)揮優(yōu)勢的是其在高溫領(lǐng)域中的應(yīng)用。適用于氣化爐氣體出口處，特別要求熱震穩(wěn)定性良好。 本產(chǎn)品用于鋁電解槽可減薄工作層，擴大電解槽的容積，具有高的導(dǎo)熱性能、性能和抗冰晶石侵蝕性能，對高功率鋁電解槽尤為適用。該產(chǎn)品已在焦作萬方鋁業(yè)、貴陽鋁業(yè)、中孚鋁業(yè)、包頭鋁業(yè)等多家企業(yè)的大型電解槽中使用，并出口力拓加拿大鋁業(yè)、俄羅斯鋁業(yè)、巴林鋁業(yè)等，深得用戶好評。

耐火材料一般分為兩種,即不定型

耐火材料一般分為兩種，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫澆注料，是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料，使用時需要和一種或多種液體配合攪拌均勻，具有較強的流動性。定型耐火材料一般指耐火磚，其形狀有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則，也可以根據(jù)需要筑切時臨時加工。反應(yīng)燒結(jié)法（ RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結(jié)，得到尺寸變化很小的產(chǎn)品（即生坯燒結(jié)后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。常壓燒結(jié)法（ PLS)在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。根據(jù)要求配以各種結(jié)合劑,經(jīng)高壓成型，制品具有良好的熱穩(wěn)定性和較高的導(dǎo)熱系數(shù),且耐腐蝕性好,是工業(yè)窯爐理想的節(jié)能材料，該產(chǎn)品具有高溫耐磨性好、膨脹系數(shù)小、熱震穩(wěn)定性好等特點。氣壓燒結(jié)法（ GPS)近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓控制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進Si3N4晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。