.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態(tài)響應和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因為我們反饋采樣的是5V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價值的。

●上頁所述的樣板基本可以控制到 /-5%范圍的誤差，屬于可接受的范圍，建議喜歡動手的朋友不妨試一下。應用實例七應用于功放的正負輸出電源欠壓式短路電壓保護控制電路說明：功放電源正負雙輸出電壓保護●由Q1構(gòu)成正電壓欠壓式短路保護電路●當正電壓短路時，電壓降低于穩(wěn)壓二極管加在Q1驅(qū)動分壓電阻分壓后讓Q1導通，即可送出保護信號?！裼蒕2構(gòu)成負電壓欠壓式短路保護電路●當負電壓短路時，電壓升高至串聯(lián)于Q2基極上穩(wěn)壓二極管，使Q2截止時，Q2集電極上的電壓信號經(jīng)過D2即可送出保護信號。

35.傳導整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機理。 37.關于PCB碰到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時候填不滿這個位置？像是有死銅一樣D1這個元件有個文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導，線屏蔽主要針對輻射，當傳導非常好的時候，有可能你的輻射會差，這個時候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會快很多。 EMI整改技巧之一 39.測試輻射的時候，多帶點不同品牌的MOS、肖特基。