氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長(zhǎng)完1美、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個(gè)冶煉過(guò)程非常耗時(shí)耗能，將長(zhǎng)達(dá)幾十個(gè)小時(shí)。在這個(gè)過(guò)程中如何調(diào)整控制電流和電壓，使冶煉過(guò)程能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行，電控系統(tǒng)承擔(dān)了zui艱巨的任務(wù)。

氧化鎂(MgO)晶體屬于氧化鎂高1端產(chǎn)品中的高1級(jí)產(chǎn)品，科技含量高，附加值大。因此高質(zhì)量氧化鎂(MgO)晶體產(chǎn)品的研制和生產(chǎn)，對(duì)開(kāi)發(fā)我國(guó)特有的資源優(yōu)勢(shì)有著十分重要的意義。具有巖鹽晶體結(jié)構(gòu)的MgO是一種寬禁帶氧化物絕緣體，帶隙Eg為7.8 eV。優(yōu)良的絕緣性、熱傳導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)使得MgO具有十分廣泛的應(yīng)用。氧化鎂(MgO)不僅可以作為催化劑、抗1菌劑，還可作為傳感材料、電器絕緣材料等，并且可以用作磁隧道結(jié)的絕緣層。

氧化鎂（MgO）是極1好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 

主要性能參數(shù) 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；拋光：?jiǎn)蚊婊螂p面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；邊緣定向精度:2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)）；斜切晶片：可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。

一種氧化鎂晶體粉制備方法,使用高純氧化鎂為原料,采用球磨水化獲得漿體,球磨水化的用水量與氧化鎂的重量比大于1:2,水化溫度在50～100℃之間;球磨水化過(guò)程中需要加入表面活性劑.在100～150℃之間對(duì)漿體進(jìn)行干燥,燒結(jié)溫度1600～1750℃,停留2～30小時(shí);燒結(jié)后降溫速率為20～100℃每小時(shí),400℃后自然降溫?zé)Y(jié)后降溫。后將所得物料粉粹來(lái)獲得氧化鎂晶體粉。