磁控濺射鍍膜機(jī)

目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動能的交換過程。當(dāng)正離子轟擊陰極靶，入射離子當(dāng)初撞擊靶表面上的原子時，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程，當(dāng)其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。隨著氧含量的增加,當(dāng)膜的組分接近化學(xué)配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。

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由于ITO 薄膜的導(dǎo)電屬于n 型半導(dǎo)體性質(zhì),即其導(dǎo)電機(jī)制為還原態(tài)In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導(dǎo)電機(jī)制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關(guān)系。隨著氧含量的增加,當(dāng)膜的組分接近化學(xué)配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應(yīng)的綜合結(jié)果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現(xiàn)象。(2)當(dāng)膜層材料為貴重金屬時，靶的結(jié)構(gòu)決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。對應(yīng)極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數(shù)有關(guān)。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設(shè)計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。（2）陽極消失：靶zhong毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。磁控濺射鍍膜機(jī)原理由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過程，入射離子轉(zhuǎn)移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉(zhuǎn)化為晶格的振動。

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直流濺射法

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；從應(yīng)用角度出發(fā),通常要求ITO薄膜的成份是In2O3和SnO2,薄膜中銦錫低價化合物愈少愈好。這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。