正性光刻膠

正性光刻膠

正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學(xué)抗蝕性，當(dāng)沒有溶解存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中，感光劑是光敏化合物，常見的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解，降低樹脂的溶解速度。Niepce的發(fā)明100多年后，即第二次大戰(zhàn)期間才應(yīng)用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。在紫外曝光后，DNQ在光刻膠中化學(xué)分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應(yīng)會在DNQ中產(chǎn)生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。

光刻工藝重要性二

光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達(dá)到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應(yīng)的光刻膠的價格也更高。

光刻光路的設(shè)計，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。

工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。

為了實現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。

光刻膠京東方

事實上，我國是在缺乏經(jīng)驗、缺乏專業(yè)技術(shù)人才，缺失關(guān)鍵上游原材料的條件下，全靠自己摸索。在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。近年來，盡管光刻膠研發(fā)有了一定突破，但國產(chǎn)光刻膠還是用不起來。目前，國外阻抗已達(dá)到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級的要求，有的工藝雖達(dá)標(biāo)了，但批次穩(wěn)定性不好。

“10次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤，由于達(dá)不到客戶需求的防靜電作用，不能應(yīng)用到新一代窄邊框等面板上。而國外做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產(chǎn)工藝方面存在問題?！崩钪袕娬f。

關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)不到要求，國內(nèi)企業(yè)始終受制于人。就拿在國際上具有一定競爭實力的京東方來說，目前已建立17個面板顯示生產(chǎn)基地，其中，有16個已經(jīng)投產(chǎn)。但京東方用于面板的光刻膠，仍然由國外企業(yè)提供。

NR77-20000PMSDS

光刻膠運輸標(biāo)識及注意事項

標(biāo)簽上標(biāo)明的意思

R標(biāo)識

R10 YI燃。

S標(biāo)識

S16  遠(yuǎn)離火源-禁止吸煙。

S 24 避免接觸皮膚。

S 33對靜電放電采取預(yù)防措施。

S 9  將容器保持在通風(fēng)良好的地方。

水生毒性

通過自然環(huán)境中的化學(xué)、光化學(xué)和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應(yīng)可能發(fā)生在水環(huán)境中。