光刻膠國內研發(fā)現狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業(yè)所壟斷。光刻膠：用化學反應進行圖像轉移的媒介光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。

光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術有待進一步發(fā)展

NR9-1000py

問題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據我所知，Futurrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品？

A 美國光刻膠，Futurrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應用產品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經過HMCTS

silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請問，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國Futurrex

生產的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers

光刻膠

按感光樹脂的化學結構，光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯型光刻膠。在應用中，采用不同單體可以形成正、負圖案，并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類化合物，經光照后,會發(fā)生光分解反應，由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的雙鍵打開，鏈與鏈之間發(fā)生交聯，形成一種不溶性的網狀結構從而起到抗蝕作用。

按曝光波長，光刻膠可分為紫外（300~450 nm）光刻膠、深紫外（160~280 nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5 nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應用領域，光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導體光刻膠等。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術的水平。