光刻膠：用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒介

光刻膠具有光化學(xué)敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設(shè)計(jì)好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個(gè)下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。

光刻膠基于應(yīng)用領(lǐng)域不同一般可以分為半導(dǎo)體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個(gè)大類。其中， PCB光刻膠占全球市場(chǎng)24.5%，半導(dǎo)體IC光刻膠占全球市場(chǎng)24.1%，LCD光刻膠占全球市場(chǎng)26.6%。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠廠家

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對(duì)紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面，(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺(tái)上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動(dòng)。目前，國外阻抗已達(dá)到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級(jí)的要求，有的工藝雖達(dá)標(biāo)了，但批次穩(wěn)定性不好。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對(duì)于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0。

在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng)，使得用負(fù)膠和亮場(chǎng)掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場(chǎng)掩膜版組合會(huì)使光刻膠層上的圖形尺寸變大。有專家提出，盡管國產(chǎn)光刻膠在面板一時(shí)用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵(lì)國內(nèi)普通面板的生產(chǎn)企業(yè)盡快用起來。

2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉(zhuǎn)，離心力，在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠，工藝參數(shù)3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過在較高溫度下進(jìn)行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時(shí)增強(qiáng)與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導(dǎo)，干燥循環(huán)熱風(fēng)提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時(shí)間與溫度應(yīng)適當(dāng)，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會(huì)影響后面的顯影效果。

NR77-25000P,RD8

 品牌

 產(chǎn)地

 型號(hào)

 厚度

 曝光

 應(yīng)用

 加工

 特性

 Futurrex

 美國

 NR71-1000PY

 0.7μm~2.1μm

 高溫耐受

 用于i線曝光的負(fù)膠

 LEDOLED、

     顯示器、

 MEMS、

     封裝、

     生物芯片等

     金屬和介電

     質(zhì)上圖案化，

     不必使用RIE

     加工器件的永

    組成

    （OLED顯示

     器上的間隔

     區(qū)）凸點(diǎn)、

     互連、空中

     連接微通道

     顯影時(shí)形成光刻膠倒

     梯形結(jié)構(gòu)

     厚度范圍：

     0.5～20.0 μm

     i、g和h線曝光波長

     對(duì)生產(chǎn)效率的影響：

     金屬和介電質(zhì)圖案化

     時(shí)省去干法刻蝕加工

     不需要雙層膠技術(shù)

 NR71-1500PY

  1.3μm~3.1μm

 NR71-3000PY

 2.8μm～6.3μm

 NR71-6000PY

 5.7μm~12.2μm

 NR9-100PY

 粘度增強(qiáng)

 NR9-1500PY

 NR9-3000PY

 2.8μm~6.3μm

 NR9-6000PY

 NR71G-1000PY

  負(fù)膠對(duì)  g、h線波長的靈敏度

 NR71G-1500PY

 NR71G-3000PY

 NR71G-6000PY

 NR9G-100PY

 0.7μm～2.1μm

 NR9G-1500PY

 1.3μm～3.1μm

 NR9G-3000PY

 NR9G-6000PY

 耐熱溫度

 PR1-500A

 0.4μm～0.9μm