光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”。兩種標(biāo)準(zhǔn)對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

全球市場

目前，光刻膠單一產(chǎn)品市場規(guī)模與海外巨頭公司營收規(guī)模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。但由于光刻膠技術(shù)門檻高，就某一光刻膠子行業(yè)而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商有產(chǎn)品供應(yīng)。

由于光刻膠產(chǎn)品技術(shù)要求較高，中國光刻膠市場基本由外資企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學(xué)、JSR株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進(jìn)等企業(yè)。9．在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P嗎。

而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場，國內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國際水平存在較大差距。這些化學(xué)成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內(nèi)公司中，蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國產(chǎn)化，但是整體技術(shù)水平較低，僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。

PR1-1500A1NR29 25000P光刻膠公司

正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對比分析。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨(dú)特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。今年5月，02重大專項(xiàng)實(shí)施管理辦公室組織任務(wù)驗(yàn)收專家組、財(cái)務(wù)驗(yàn)收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實(shí)驗(yàn)室檢測技術(shù)研究”項(xiàng)目的任務(wù)驗(yàn)收和財(cái)務(wù)驗(yàn)收。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點(diǎn)指出了工藝中的關(guān)鍵點(diǎn)及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時(shí)同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。