負(fù)性光刻膠

負(fù)性光刻膠

    負(fù)性光刻膠分為粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠、加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。

    A、粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠

    粘性增強(qiáng)負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計(jì)制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負(fù)膠。粘性增強(qiáng)負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時(shí)的粘附力；很容易用光膠剝離器去除，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長(zhǎng)曝光。

    粘性增強(qiáng)負(fù)膠對(duì)生產(chǎn)量的影響，消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過(guò)程的步驟。章宇軒介紹,我們?cè)谌粘９ぷ魃钪?，之所以能從顯示屏幕上看到色彩斑斕的畫(huà)面，就是離不開(kāi)屏幕中厚度只有2μm、卻占面板成本16％的一層彩色薄膜。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢(shì)：控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強(qiáng)劑。

    i線(xiàn)曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線(xiàn)曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負(fù)膠

    加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負(fù)膠的特性在RIE加工時(shí)優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時(shí)優(yōu)異的溫度阻抗，厚度范圍是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波長(zhǎng)曝光。

    加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢(shì)是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影，100 μm的光膠顯影僅需6 ～ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時(shí)非常容易地增加能量密度，從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進(jìn)行高能量離子減薄、不必使用粘度促進(jìn)劑。彩色薄膜少了光刻膠，產(chǎn)生不了絢麗的畫(huà)面顯示器是人與機(jī)器溝通的重要界面。

    用于i線(xiàn)曝光的加工負(fù)膠系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機(jī)與之配對(duì)調(diào)試。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。一般情況下，一個(gè)芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10~50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠(chǎng)商也會(huì)有不同的要求。

針對(duì)不同應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿(mǎn)足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。

NR9-3000PYRD6光刻膠價(jià)格

2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉(zhuǎn)，離心力，在硅片表面通過(guò)旋轉(zhuǎn)的光刻膠，工藝參數(shù)3000-6000rpm   膠膜厚0.5-1um， 

3,前烘，通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發(fā)，溶劑將至5%左右，同時(shí)增強(qiáng)與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導(dǎo)，干燥循環(huán)熱風(fēng)提高附著力，紅外線(xiàn)輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時(shí)間與溫度應(yīng)適當(dāng)，如太長(zhǎng)或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會(huì)影響后面的顯影效果。