光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車(chē)通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿(mǎn)足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過(guò)不斷縮短曝光波長(zhǎng)以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線(xiàn)（436nm）、i線(xiàn)（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線(xiàn)水平。目前，上游電子化學(xué)品（LCD用光刻膠）幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，才能支撐我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展及國(guó)際“地位”的確立。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線(xiàn)、i 線(xiàn)、KrF、ArF四類(lèi)光刻膠，其中，g線(xiàn)和i線(xiàn)光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。

PR1-2000A1NR9 3000P光刻膠廠(chǎng)家

4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上，經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段；

對(duì)準(zhǔn)：指光刻板上與襯底的對(duì)版標(biāo)記應(yīng)準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準(zhǔn)。

曝光時(shí)間，由光源強(qiáng)度，光刻膠種類(lèi)，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應(yīng)影響，可在曝光后需進(jìn)行烘焙，稱(chēng)為光后烘焙（PEB）

NR77-5000PY

PR1-2000A1 試驗(yàn)操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態(tài)滴膠后以1300轉(zhuǎn)/分速度持續(xù)40秒。同時(shí)必須需要在1秒內(nèi)達(dá)到從0轉(zhuǎn)/分到1300轉(zhuǎn)/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長(zhǎng)為365,406,436的波長(zhǎng)曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。